开元体育台积电取得半导体器件和形成半导体晶体管器件的方法专利提高半导体器件的制造

　　开元体育台积电取得半导体器件和形成半导体晶体管器件的方法专利提高半导体器件的制造效率金融界2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件和形成半导体晶体管器件的方法“，授权公告号CN113517227B，申请日期为2021年3月。

　　专利摘要显示开元体育，一种形成半导体晶体管器件的方法。所述方法包括在衬底上方形成鳍形沟道结构，以及在鳍结构的相对端上形成第一源极/漏极外延结构和第二源极/漏极外延结构开元体育。所述方法还包括形成围绕鳍结构的金属栅极结构。所述方法还包括翻转并部分地去除衬底以形成背侧覆盖沟槽开元体育，同时沿着第一源极/漏极外延结构和第二源极/漏极外延结构的上侧壁保留衬底的下部作为保护间隔件。所述方法还包括在背侧覆盖沟槽中形成背侧介电帽。本申请的实施例还涉及半导体器件。