开元体育三星申请半导体器件专利该半导体器件包括基板、有源区、栅极结构等

　　开元体育三星申请半导体器件专利该半导体器件包括基板、有源区、栅极结构等金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“，公开号CN117276341A，申请日期为2023年6月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；有源区，在基板上在第一方向上延伸；栅极结构，在基板上在第二方向上延伸并包括栅电极；源极/漏极区开元体育官方网站，提供在有源区上在栅极结构的至少一侧；层间绝缘层，覆盖栅极结构；第一接触结构，在栅极结构的至少一侧连接到源极/漏极区；以及栅极接触结构，至少部分地穿过层间绝缘层并连接到栅电极，其中栅极接触结构包括：第一层，包括导电材料；第二层，提供在第一层上，通过第一层与层间绝缘层间隔开开元体育官方网站，并包括第一杂质；以及第三层，提供在第二层上并包括第二杂质。

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